韩国三星在2023年6月底正式宣布量产了第一代3nm GAA制程技术，这也是三星首次采用全新的GAA架构晶体管技术，打破了FinFET原有的性能限制，藉由降低工作电压水平来提高能耗比，同时还透过增加驱动电流来提升芯片性能。 如今，根据外媒报导，三星将进一步介绍的第二代3nm制程技术，其效能将较第一代3nm制程技术有所优化。

　　报道指出，2023年VLSI技术和电路研讨会将于2023年6月11至16日在日本京都举行。 而根据官方预告，三星将介绍名为SF3的第二代3nm制程技术，该制程技术预计将使用第二代 MBCFET架构，在第一代3nm GAA(SF3E)基础上做进一步的优化。

　　根据三星表示，与4nm低功耗制程技术(SF4)相较，第二代3nm制程技术在相同功率和晶体管数量下，运算效能提高了22%，在相同频率和复杂性下的功耗降低了34%，娉验面积缩小了21%。 不过，三星并没有将其 SF3 与 SF3E 进行比较，也没有关于 SRAM 和模拟电路缩放方面的数据。

　　事实上，与传统 FinFET 技术相较，GAA 技术的主要优点之一是泄漏电流减少。 另外，通道厚度可以调整，以提高性能或降低功耗。 三星表示，第二代3nm制程技术提供了更大的设计灵活性，使用不同宽度的MCFET。 而第二代3nm制程技术，三星方面表示，将有机会在2024年与台积电的先进制程技术上展开竞争。

　　先前，三星集团旗下设备解决方案部门总裁庆桂显在媒体访问时坦承，其半导体制程上落后于台积电。 不过，他认为三星更早地采用GAA晶体管技术是一项优势，预计5年内可以达成超越台积电的目标。

　　报导进一步指出，三星目前也还在改进其4nm制程技术，目标是透过SF4P(4LPP+)缩小与竞争对手之间的差距，预计会在2023年下半年量产。 此外，三星还计划推出用于高性能CPU和GPU的SF4X(4HPC)。 不过，在几乎同一时间，台积电也会带来名为N3P的增强型3nm制程技术。 因此，届时的竞争究竟谁能胜出，目前还犹未可知。