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地芯科技今日上午在上海发布全球首款基于CMOS工艺的支持4G的线性CMOS PA

2023-05-18 14:42:19   作者:   来源:C114通信网   评论:0  点击:


   今日上午,杭州地芯科技有限公司(以下简称:地芯科技)在上海发布了全球首款基于CMOS工艺的支持4G的线性CMOS PA——GC0643。

  GC0643是一款4*4mm多模多频功率放大器模块(MMMB PAM),主要应用于3G/4G手持设备(包括手机及其他手持移动终端)以及Cat1.物联网设备,支持多频段多制式应用,还支持可编程MIPI控制。

  

 

  据悉,CMOS工艺是集成电路中最为广泛使用的工艺技术,具有高集成度、低成本、漏电流低、导热性好、设计灵活等特性,但也存在击穿电压低、线性度差两大先天性弊端,使其在射频PA应用上面临巨大的技术挑战。地芯科技的创始团队深耕线性CMOS PA技术十多年,在过往的经验基础上开拓创新,攻克了击穿电压低、线性度差两大世界级工艺难题,在全球范围内率先量产支持4G的线性CMOS PA,将使得CMOS 工艺的PA进入主流射频前端市场成为可能。

  那么地芯全新CMOS PA技术平台有哪些特点?地芯科技从工艺、架构、设计等三方面进行创新,实现了GC0643的四大特性。其一是CMOS工艺路线的全新多模多频PA设计思路;其二是创新型开关设计支持多频多模单片集成;其三是兼顾先性与可靠性的设计;其四是低功耗、低成本、高集成度、高可靠性。

  该产品可以应用于低功耗广域物联网(LP-WAN)设备、3G/4G手机或其他移动型手持设备、无线IoT模块等,支持FDD LTE Bands 1,3/4,5,8;TDD LTE Bands 34,39,40,41;WCDMA Bands 1,2,3/4,5,8等频段。

  在3.4V的电源电压下,在CMOS工艺难以企及的2.5G高频段,该CMOS PA可输出32dBm的饱和功率,效率接近50%;在LTE10M 12RB的调制方式下,-38dBc UTRA ACLR的线性功率可达27.5dBbm(MPR0),FOM值接近70,比肩GaAs工艺的线性PA。在4.5V的电源电压下,Psat更是逼近34dBm,并在Psat下通过了VSWR 1:10的SOA可靠性测试。该设计成功攻克了CMOS PA可靠性和线性度的主要矛盾,预示了线性CMOS PA进入Psat为30-36dBm主流市场的可能性。

  地芯科技CEO吴瑞砾表示,“Common-Source架构的CMOS PA和HBT的架构类似,其非线性实际上并非特别棘手到难以处理,主要问题在于无法承受太高的电源电压。”他也指出,“CMOS工艺提供了丰富种类的器件,以及灵活的设计性,通过巧妙的电路设计,可以通过模拟和数字的方式补偿晶体管本身的非线性。这也是CMOS PA设计最重要的课题之一。”

  那么,为什么这家本土射频芯片企业能够率先攻克CMOS工艺难点,正式推出面向市场的模组产品?

  据了解,杭州地芯科技有限公司成立于2018年,公司的核心研发团队成员80%以上为硕士与博士学历,具有10至20年的芯片研发与量产经验,涵盖系统、射频、模拟、数字、算法。软件、测试、应用、版图等技术人才,具有完备的芯片研发与量产能力。公司团队历时三年,专攻研发,最终得以在同质化竞争中突出重围。

  作为国家高新技术企业、浙江省科技型中小企业,地芯科技致力于成为全球领先的5G无线通信、物联网以及工业电子的高端模拟射频芯片的设计者。

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