研究团队利用碳化硅晶圆基板进行实验,由于晶圆是通过将整体晶块切成薄片来制造的,因此截面上容易凹凸不平,不能直接使用。传统的方法是结合多种方式进行抛光研磨,但这会导致内部容易出现损伤、表面形成落差。
团队将经过机械研磨后的碳化硅基板在氩气和氢气保护下,加热10分钟,达到1600摄氏度,然后在1400摄氏度下保持一段时间。这时,表面达到了原子层面的平整。由于这种操作方式简单,只需加热即可,因此相比传统的多次抛光有利于缩短制造工时,并降低成本。
除了加工功率半导体材料碳化硅,这项技术还可以用于加工晶格构造相似的其它材料,如氮化镓、砷化镓晶圆。