三星表示， Grandis将并入三星研发部门，专注于下一代存储技术的开发，评估新半导体材料和结构的长期商用价值。三星称Grandis将为其存储技术研发做出贡献，并将成为三星全球研发网络的关键部分。
Grandis成立于2002年，主要开发SST-RAM(自旋转移力矩随机存取存储器)存储芯片技术，该技术据称融合了DRAM的成本优势、SRAM的快速读取性能以及闪存的不易挥发性。
2010年6月，Grandis升级其产品路线图，计划以其下一代MRAM芯片取代DRAM，并最终取代NAND闪存。SST-RAM为第二代MRAM技术，它可以解决部分由传统MRAM结构引起的问题。
多年来，MRAM和下一代存储技术开发者一直表示，其开发的技术将最终取代目前的存储技术，但是直到现在，DRAM和NAND仍旧是主流存储技术，尚未被取代。
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