台积电报告中显示,N3技术于2022年量产,N3E预计于2023年下半年量产,预期N3家族将成为台积电另一个大规模且有长期需求的制程技术。据悉,N4X是台积电第一个专注于高效能计算(HPC)的技术,预计于2023年进行客户产品设计定案。
台积电指出,2纳米技术将采用纳米片(Nanosheet)电晶体结构,此前架构为鳍式场效晶体管(FinFET)。相较于N3E,N2在相同功耗下速度增快10%-15%,或在相同速度下功耗降低25%-30%,以满足日益增加的节能计算需求。
台积电表示,公司也在不断扩展台积公司3DFabricTM设计解决方案,以提升系统级性能至新境界。台积电3DFabricTM结合了晶圆级3D和先进封装技术。在3D技术方面,芯片堆叠(Chip on Wafer,CoW)技术成功于2022年量产,通过将静态随机存取芯片(Static Random Access Memory,SRAM) ) 堆叠于逻辑晶圆上展现显著的性能优化。