三星今天宣布，将开始更高密度LPDDR3芯片的量产。三星将出货3GB容量的LPDDR3芯片模组，这意味着下一代高端智能手机很可能将采用3GB内存。
这一新的LPDDR3模组由6颗20纳米4Gb内存芯片分两列堆叠而成，厚度仅为0.8毫米。三星表示，这一内存模组的数据传输速率将达到2133Mbps。
此外，三星目前还在开发另一个版本的产品，即使用4颗6Gb内存芯片进行堆叠，这将进一步提升产品性能。
采用这一新内存产品的智能手机将可以更轻薄，或是增大电池容量。而更大、更快的内存芯片将可以更好地支持多任务、视频播放，并给需要大内存的应用带来更好的表现。
这一芯片不仅可以供智能手机使用，明年采用3GB或6GB内存的平板电脑也可能面市。
