Sammobile引述《韩国经济日报》报道，三星设备解决方案部门主管Kye Hyun Kyung 4日稍早在三星半导体举办的课程中表示，三星的晶圆代工技术「目前落后台积电」，旗下的4纳米制程大约落后台积电两年 ，3纳米制程则约落后一年。

　　不过，他强调，三星如今有优势，能在五年内超越台积电。

　　三星计划从3纳米开始运用环绕式栅极(GAA)制程，是该公司相信能在五年内超越台积电的关键。 相较之下，台积电在2纳米之前都不会采用GAA，三星相信公司能趁此机会赶上台积电。

　　与台积电目前采用的制程相较，GAA可让三星芯片的体积更小(少45%)、耗电量更低(少50%)。 Kye Hyun Kyung说，「客户对三星3纳米GAA制程的反应不错。」

　　有趣的是，Kye Hyun Kyung还说，三星相信内存对AI服务器的重要性将超越英伟达绘图处理器(GPU)。 他说，三星将「确保以内存为中心的超级计算机在2028年底前问世。」

　　三星称4纳米良率逼近5纳米

　　韩国媒体Pulse 5月3日报道，三星最近在社群媒体发文指出，4纳米制程良率快速改善、如今已接近5奈米的水平。 三星表示，「次世代4纳米制程将提供更好的良率。」 业界人士说，三星过去很少向大众揭露芯片制程的良率细节。

　　三星今(2023)年的良率、产能出现明显改善。 报导指出，业界人士透露，三星4纳米制程良率如今已可媲美台积电，也因而吸引客户回流。 据传，超威(AMD)、三星已敲定4纳米合作协议，三星为Google Pixel 8智能机设计的Tensor 3处理器，也会采用自家的第三代4纳米制程。