报道称,三星电子于2022年6月通过环栅(GAA)工艺开始量产3纳米芯片,比台积电提前6个月,世界第一。受到三星先发制人的打击,台积电高层多次公开2纳米制程计划,引发超精细制造竞赛。
英特尔也加入这场竞赛,其设定了一个目标,即在2024年下半年推进其代工生产1.8纳米制程内的芯片。3月,该公司制定了一项计划,使用通过与ARM建立合作伙伴关系实现1.8纳米工艺。不过,也有业内人士悲观地认为,即使英特尔按照路线图取得成功,要实现收支平衡对公司来说也是一个很大的挑战。
据悉,台积电计划在竹科建设全球最尖端的2纳米芯片工厂,计划在2025年开始量产。台积电的2纳米技术在相同功耗下,相比3纳米工艺的速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。