据韩媒报道，三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨 NAND Flash 产品的合约价格，涨幅在 10% 以上，预计最快本月新合约便将采用新价格。

　　自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降了 40%，最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量，眼下正试图推动 NAND 价格正常化。

　　如今 DRAM 已出现价格反弹，而 NAND 产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现 NAND 盈亏平衡点。

　　研究员 Han Dong-hee 认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。

　　目前业内买卖双方正在洽谈合约价，外媒认为 DRAM 及 NAND Flash 第四季度合约价将上涨 10%-15%，三星甚至计划调涨 20%，不过仍待观察具体成交价。